도시바, 스위칭 손실 줄이는 4핀 패키지 산업 장비용 3세대 SiC MOSFET 출시

도시바 일렉트로닉 디바이스 앤 스토리지(Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation, 이하 도시바)가 탄화규소(SiC) MOSFET인 ‘TWxxxZxxxC 시리즈’를 출시했다. 이 시리즈에는 자사 최신[1] 산업 장비용 3세대 SiC MOSFET 칩과 함께 스위칭 손실을 줄이는 4핀 TO-247-4L(X) 패키지가 사용됐다. 오늘부터 정격 전압 650V 제품 5개 및 1200V 제품 5개 등 10개 제품이 대량 출하된다.

Toshiba: 3rd generation SiC MOSFETs for industrial equipment with four-pin package that reduces switching loss.

이번 신제품은 도시바의 SiC MOSFET 제품군 중 최초로 4핀 TO-247-4L(X) 패키지를 사용한다. 이를 통해 게이트 드라이버의 신호 소스 터미널에서 켈빈 연결이 가능하다. 이 패키지는 패키지 내부의 소스 와이어 인덕턴스의 영향을 감소시켜 고속 스위칭 성능을 끌어올릴 수 있다. 신제품 TW045Z120C는 3핀 TO-247 패키지를 사용한 도시바의 기존 제품 TW045N120C와 비교해 턴 온 손실이 약 40%, 턴 오프 손실은 약 34%[2] 감소해 장비 전력 손실을 낮추는 데 도움을 준다.

Toshiba: a reference design for a three-phase inverter using SiC MOSFETs. (Photo: Business Wire)

SiC MOSFET를 사용하는 3상 인버터 레퍼런스 설계가 온라인에 공개됐다.

도시바는 시장 트렌드에 부응하고 장비 효율 및 전력 용량 증대에 기여하기 위해 계속해서 라인업을 확대할 예정이다.

주석:
[1] 2023년 8월 기준.
[2] 2023년 8월 기준, 도시바가 측정한 값.(테스트 조건: VDD=800V, VGG=+18V/0V, ID=20A, RG=4.7Ω, L=100μH, Ta=25°C)